c9012(c9012是什么)

一、三极管9012可以用什么代替

可以用2N5401、8550、2SA1015直接代替，效果是一样的。

9012是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是PNP型小功率三极管。

它的参数是：

集电极-发射极电压-30V

集电极-基电压-40V

射极-基极电压-5V

集电极电流 0.5A

耗散功率 0.625W

结温 150℃

特怔频率最小 150MHZ

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

扩展资料：

选用和替换三极管方法

初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。

三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。

在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。

参考资料：百度百科-三极管

参考资料：百度百科-三极管c9012

二、C9014三极管和S9014有什么不同

1、参数不同

（1）S9014还有P（CM）0.4W；I（CM）0.1A；V（CBO）最小50V；I（CBO）最小0.1uA；f（t）150MHz等多个参数。

（2）C9014集电极最大耗散功率PCM=0.4W（Tamb=25℃），集电极最大允许电流ICM=0.1A集电极基极击穿电压BVCBO=50V，集电极发射极击穿电压BVCEO=45V，发射极基极击穿电压BVEBO=5V。

（3）集电极发射极饱和压降VCE(sat)=0.3V(IC=100mA; IB=5mA)，基极发射极饱和压降VBE(sat)=1V(IC=100mA; IB=5mA)，特征频率fT=150MHzHFE： A=60~150; B=100~300; C=200~600; D=400~1000

2、用途不同

（1）s9014属于NPN型小功率硅三极管，一般可用于前置放大、中低频振荡电路，小功率电子开关、电平转换等应用场合。

（2）S9014A放大倍数在60～150间；S9014B放大倍数在100～300间；S9014C的在200～600间，S9014D放大倍数在400～1000间。且A、B、C类实际测量一般都是偏向大数，D类多为中间值。

（3）C9014非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是npn型小功率三极管，主要用途作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）。

扩展资料

三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。

具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。

如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多量12次，总可以找到基极。

三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。

参考资料来源：百度百科--三极管C9014

三、三极管9012是什么意思

三极管9012引脚图如下：

上图中的1表示的是发射极，2表示的是基极，3表示的是集电极。

9012是非常常见的PNP型晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是PNP型小功率三极管。该三极管由发射极、基极、集电极。

9012的相关参数：

集电极-发射极电压-30V；

集电极-基电压-40V；

射极-基极电压-5V；

集电极电流0.5A；

耗散功率0.625W；

结温150℃；

特征频率最小150MHZ；

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300。

扩展资料：

9012三极管就是两头是N型，中间是P型。N端为电子端，P端为空穴端在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做得很大，基区P型半导体做得很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE。

但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成IB。

三极管9012首要参数:集电极电流IC：Max-500mA作业温度：-55℃到+150℃，集电极-基极电压Vcbo：-40V可与NPN三极管9013配对。

参考资料来源：百度百科——三极管c9012