sram和dram的区别，sram存储器是指

一、SRAM和DRAM的区别

以下是SRAM和DRAM的区别：

数据存储不同：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

体积不同：相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。

特点不同：SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

二、计算机的“dram”和“sram”分别是什么意思，有什么区别

按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器（DynamicRAM,DRAM)。静态存储单元（SRAM）●存储原理：由触发器存储数据●单元结构：六管NMOS或OS构成●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)动态存储单元（DRAM）●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）

●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。●优点：集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。

三、SRAM和DRAM的区别有哪些呢SRAM

区别：

1、集成功耗：SRAM集成度较低，功耗较大。DRAM集成度较高，功耗也较低。

2、工作特点：SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出。DRAM是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。

3、用处：采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。扩展资料：SRAM来作为内存的好处：SRAM存储一位需要花6个晶体管，而DRAM只需要花一个电容和一个晶体管。cache追求的是速度所以选择SRAM，而内存则追求容量所以选择能够在相同空间中存放更多内容并且造价相对低廉的DRAM。DRAM的数据实际上是存在电容里的。而电容放久了，内部的电荷就会越来越少，对外就形成不了电位的变化。而且当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路，通过检查是否有电荷流进或流出来判断该bit是1还是0。所以无论怎样，在读操作中我们都破坏了原来的数据。